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【2h】

Synchrotron X-ray topographic analysis of the impact of processing steps on the fabrication of AlGaAs/InGaAs p-HEMT's

机译：同步加速器X射线形貌分析工艺步骤对AlGaAs / InGaAs p-HEMT的制造的影响

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Synchrotron X-Ray Topography (SXRT) has been uniquely applied to nondestructively reveal and evaluate the damage throughout the depth of the wafer, caused by the deposition of source/gate/drain metallization and of so-called "passivation" dielectric layers on power Al/sub 0.22/Ga/sub 0.78/As/In/sub 0.21/Ga/sub 0.79/As pseudomorphic HEMT's. Device metallization is visible due to the stress imposed on the underlying substrate and is detected as a strain field by SXRT. Experimental results are in good agreement with simulation. The quality and detail of the initial control topographs disappear when the Si/sub 3/N/sub 4/ dielectric layer is deposited. This is believed due to the passivating layer introducing such strain into the crystal that it overwhelms the metallization strain, in addition to producing a significant amount of stress-induced defect and dislocation generation.
机译：同步加速器X射线形貌（SXRT）已被独特地应用于无损显示和评估整个晶片深度上的损坏，该损坏是由电源Al上的源极/栅极/漏极金属化层和所谓的“钝化”电介质层的沉积引起的/ sub 0.22 / Ga / sub 0.78 / As / In / sub 0.21 / Ga / sub 0.79 / As拟态HEMT。由于施加在下面的衬底上的应力，设备金属化是可见的，并且被SXRT检测为应变场。实验结果与仿真结果吻合良好。当沉积Si / sub 3 / N / sub 4 /介电层时，初始控制形貌的质量和细节消失。认为这是由于钝化层将这种应变引入晶体中，使得其压倒了金属化应变，此外还产生了大量的应力诱发的缺陷和位错的产生。

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